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date = 2021-10-30T07:09:53Z
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description = ""
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slug = "yangjadeulyi-teuraenjiseuteo"
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title = "양자들의 트랜지스터와 핫 캐리어 효과"
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트랜지스터가 점점 소형화가 되어가면서 전자가 예상한대로 움직이지 않는 작은 단위까지 내려갔다. 나노단위까지 생산공정이 작아지면서 양자역학적인 효과가 나타나기 시작했고, 이는 트랜지스터의 스위칭 작용을 방해하는 효과를 불어일으킨다. 이를 해결하기 위해서 양자 세계에서 사용할 수 있는 양자 트랜지스터와 단일 원자 트랜지스터가 개발되었다.
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1) 단일원자 트랜지스터
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단일원자 트랜지스터는 양자 터널링 효과를 적극적으로 이용하여 스위칭 작용을 한다. 터널링 효과를 제어하기 위해서 직접 제어가 아닌 양자 얽힘 효과를 이용한다. 큐비트를 이용하여, 전자 주개로써의 원자를 제어하기 위해 원자 개개별의 스핀 상태를 이용한다. 이를 통해 큐비트의 역할을 할 수 있는 단일한 원자를 생성해 내고, 이 단일 원자들이 스위칭 작용을 하는 주체가 된다. 단일 원자 트랜지스터는 실온에서 작동하고, 적은 숫자의 원자만을 이용하기 때문에 스위칭에 필요한 전력의 양도 매우 적다.
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단일원자 트랜지스터는 실리콘 표면의 인 원자와 반응시키는 방법이 이용된다. 원자가 정해진 위치에 고정되어 있고 각각의 원자가 전자 주개 또는 스위쳐로 작용하여 전자 하나하나의 흐름을 제어하게 된다.
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2) 양자 트랜지스터
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양자 트랜지스터는 기존의 MOS 트랜지스터와 비슷하게 행동하지만, 중간 p,N형 반도체가 하던 채널 형성과 전자 이동 제어를 나노 양자점이 전담하게 된다.
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3) 핫 캐리어 효과
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반도체 공정이 작아지면서 트랜지스터 채널이 소형화되었고, 이에 따라 채널의 길이가 줄어들게 되었다. 채널의 길이가 줄어들면서 전자의 튐 현상과 전자 제어가 힘들어진다는 한계점이 있다. 그 중 핫 캐리어 효과는 Drain전압은 일정한데 비해 짧아진 거리에 의해 전기장이 매우 커지는 효과가 일어나고, 평소보다 훨씬 가속된 전자들의 운동에너지에 의해 원래라면 넘어갈 수 없던 Oxide 전계를 넘어서게 되면서 규소 원자와 충돌하여 갇히게 된다. 이를 핫 캐리어 효과, 빠른 전자에 의한 주입 현상이라고 한다. 이에 의해 예측한 것과는 더 적은 전하가 이동하게 되고, 전류가 불안정하고 수율이 떨어지게 된다.
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핫 캐리어 효과를 최소한으로 하고 이를 방지하기 위해서는 Oxide 게이트와 접해있는 부분의 실리콘을 특수하게 덜 도핑하는 방법이 있다. 전류 손실의 손해를 보지만 핫 캐리어 효과에 의한 손실보다는 훨씬 적다. 원래는 전자의 운동을 최소한으로 방해하기 위해 저항이 낮도록 도핑하는데, Oxide에 접해있는 부분의 저항을 특별히 더 높게 도핑하여 핫 캐리어의 운동을 방해하는 효과를 준다.
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